10나노미터(nm) 이하 초미세공정(7세대, 1d)에서 차세대 D램의 물리적 한계를 극복하기 위해 삼성전자는 '수직', SK하이닉스는 '평면 극한'이라는 각기 다른 그림을 그리고 있는 것으로 나타났다. 6일 업계에 따르면 삼성전자는 현재 16단 수직 적층 D램(16-t