HBM 다음은 ‘계층형 메모리’ — FMS 2026이 예고한 차세대 메모리 전쟁

💻 HBM 다음은 ‘계층형 메모리’ — FMS 2026이 예고한 차세대 메모리 전쟁 2026년 하반기는 “AI 시스템이 HBM 하나에만 의존하는 구조를 얼마나 더 유지할 수 있나”로 넘어가는 중. AI 워크로드가 학습 → 대규모 추론, 단발성 프롬프트 → 에이전틱 AI로 옮겨가면서 KV 캐시 등 유지해야 할 상태 데이터가 폭증. FMS 2026에서 이 흐름이 뚜렷하게 드러남. 📌 SK하이닉스 — HBM·DRAM·NAND·CXL을 하나로 묶는 ‘Tiered Memory’ • 에이전틱 AI 시대에는 메모리 아키텍처가 계층형 메모리(Tiered Memory) 체계로 진화해야 한다는 게 핵심 메시지 • 샌디스크와 공동 개발한 HBF(High Bandwidth Flash)를 HBM과 SSD 사이 새로운 메모리 계층으로 제시 • CXL 하이브리드 메모리를 더해 기존 HBM→DRAM→SSD 계층을 확장한 IMTE 아키텍처가 AI 추론 효율을 35.7% 개선한다고 발표 • 분산 AI 에이전트의 KV 캐시 관리에 CXL Pooled Memory 적용, SSD엔 주 캐시를 유지하며 DRAM으로 프리페치하는 CMM-Hybrid 시연 • 메모리 내부에 연산 기능을 내장한 CMM-Ax(컴퓨트-인-메모리)도 공개 — 롱컨텍스트 LLM 추론 가속용 📌 삼성전자 — 정반대 방향, “메모리를 GPU 위로” • HBM을 GPU 옆이 아니라 바로 위에 수직으로 쌓는 zHBM 기술 공개 • 차세대 인터페이스 시스템 기준 zHBM이 HBM5 대비 약 8배 성능 목표치 제시 • BV-NAND는 400단 벽을 넘는 프로토타입 공개 → SK하이닉스는 ‘계층 확장’으로, 삼성전자는 ‘메모리-컴퓨트 거리 제로화’ 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi