인텔, 메모리 시장 재진입 움직임 — ZAM·XBM 두 갈래 전략

💻 인텔, 메모리 시장 재진입 움직임 — ZAM·XBM 두 갈래 전략 인텔이 차세대 메모리 아키텍처인 ZAM(Z-Angle Memory)과 XBM(Cross-Batch Memory)을 통해 HBM 대안 기술을 병행 개발 중 두 프로젝트를 함께 보면 인텔이 최소 2개의 HBM 대체 경로를 동시에 추진 📌 ZAM — 적층·본딩 방식의 혁신 • 8개 D램 다이와 로직 컨트롤러로 구성된 저전력 적층 D램 아키텍처, HBM 대비 전력·발열·비용 절감이 목표 • 9층 스택(D램 8층 + 로직 컨트롤러)에 초박막 실리콘 기판 적용, TSV와 하이브리드 본딩으로 스택 연결 • 스택당 약 5.3TB/s 대역폭, 10GB 용량(패키지당 30GB) 목표 — HBM4 대비 최대 2배 대역폭 • 2028~2030년 상용화 목표, 근시일 내에는 HBM4·HBM4E가 시장 주도 • 소프트뱅크 자회사 SAIMEMORY와 공동 개발, 2029년 상용화 목표로 VLSI Symposium 2026 공개 예정 📌 XBM — 인터페이스·다이 구조 자체를 변경 • DRAM 셀을 백엔드 공정으로 이전하는 박막 트랜지스터 방식, HBM의 고비용 실리콘 인터포저 대신 32GT/s급 UCIe 시리얼 링크로 대체 • 다이당 용량 약 0.5GB~5GB, 스택 8층~16층까지 확장 가능, 전체 패키지 크기는 HBM4 수준 유지 설계 • 고단 적층 수율 저하 대응을 위해 BISR(내장 자가복구), 예비 채널, 이중화 메모리 배열 등 탑재 • 2030년 이후 상용화 목표, ZAM보다 늦은 타임라인 XBM은 아직 발표·테이프아웃·고객사가 전무한 특허 단계 기술 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi