차세대 3D NAND·HBM 하이브리드 본딩 워크플로우

💻 차세대 3D NAND·HBM 하이브리드 본딩 워크플로우 하이브리드 본딩은 단순히 “다이 두 개를 붙이는” 공정이 아닙니다. 임시 접합 → 웨이퍼 박막화 → 보호막 코팅 → 정밀 다이싱 → 다이 픽앤플레이스 → 본딩 → 디본딩·세정으로 이어지는 다단계 공정 생태계 📌 공정 4단계 • (I) 다이 준비: Top die wafer 마운팅 → 박막화(그라인딩) → 웨이퍼 플립 → 보호막(LRL) 코팅 • (II) 다이 픽앤플레이스: 다이싱 → Glass Carrier 위 배치 • (III) 본딩: 유기막(Adhesive) 제거 → Glass Carrier 본딩 → Target wafer 접합 • (IV) 디본딩·세정: 최종 캐리어 분리 및 세정 📌 기술적 의미 • 접합 피치: TC 본딩(열압착) 40~55μm → 하이브리드 본딩 10μm 이하 • 집적도: 동일 면적 기준 4~5배 상승 • 접합 방식: 솔더 범프 없이 구리-절연체 계면 직접 접합 • 성능 효과: 기생 저항·발열 감소 → 전력 효율 개선 📌 공정별 국내 소부장 밸류체인 • 다이 준비/보호막: 케이씨텍(유리기판 슬러리·세정액), 켐트로닉스(TGV 정밀 가공) • 본딩 장비: 한화비전(HCB 장비, SK하이닉스와 공동 개발), 한미반도체(2세대 하이브리드 본더 준비), 제너셈(SK하이닉스향 파일럿 라인 공급) • 어닐링/평탄화: HPSP(저온 수소 어닐링), 케이씨텍(CMP 평탄화) • 해외 경쟁: 베시(BESI, 로직 반도체 선두), ASMPT(2세대 본더 출시 예정) 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi