HBM 다음은 zHBM, zNAND" 삼성전자, 차세대 AI 메모리 기술 발표

💻 "HBM 다음은 zHBM, zNAND" 삼성전자, 차세대 AI 메모리 기술 발표 https://n.news.naver.com/mnews/article/014/0005557325 📌 HBM 다음 세대는 'zHBM' 삼성전자가 FMS 2026에서 업계 최초로 차세대 3D 메모리 아키텍처 zHBM 목업 공개 HBM을 AI 가속기 상단에 직접 적층하는 구조로, HBM5 대비 최대 8배 성능·전성비 3배·열저항 50% 이상 개선 목표 인터레이어에 고객 맞춤형 IP를 추가할 수 있어 AI 가속기와 메모리를 함께 최적화하는 맞춤형 AI 메모리 플랫폼 제시 📌 낸드도 AI 전용으로 진화 zNAND-O 공개...TSV 기반 4~8단 3D 패키징으로 온디바이스 AI에 최적화 높은 데이터 로딩 대역폭과 빠른 응답속도로 실시간 AI 추론 환경을 겨냥 📌 400단 시대 연 V10 V-NAND 400단 이상 10세대 V-NAND(V10) 최초 공개 웨이퍼 본딩과 3 Stack 기술 적용, 집적도는 V9 대비 약 58% 향상** 초고적층 기술을 통해 AI 데이터센터용 고용량 SSD 경쟁력 강화 📌 HBM4E부터 HBM5까지 풀라인업 구축 HBM4E·HBM5·LPDDR5X-PIM·PM1763 등 AI 메모리 포트폴리오 전시 HBM4 양산, HBM4E 샘플 공급에 이어 HBM5·zHBM까지 차세대 로드맵을 공개하며 AI 메모리 기술 리더십 강화 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi