삼성 ‘HBM4 성공’ 숨은 주역 “베이스 다이 4나노 공정 선제 도입 주효”

💻 삼성 ‘HBM4 성공’ 숨은 주역 “베이스 다이 4나노 공정 선제 도입 주효” https://biz.heraldcorp.com/article/10817354 📌 HBM4 승부처로 떠오른 베이스다이 세계 최초 양산 HBM4에 자체 파운드리 4나노 공정 적용 베이스다이가 적층 D램과 GPU 간 데이터·신호를 관리 메모리와 파운드리 결합으로 HBM 성능 차별화 📌 초저전력 공정으로 처리 속도 개선 FinFET 높이와 컨택 크기를 줄여 정전용량 축소 전력 소모를 낮추면서 데이터 처리 속도 향상 해당 기술은 양산 제품에 적용돼 성능 경쟁력 확보 📌 4나노 가동률 상승, 적자 개선 기대 삼성 파운드리 4나노 공정은 풀가동 수준에 진입 AI 추론용 LPU 등 첨단 칩 생산 물량도 확대 가동률 상승에 따라 파운드리 수익성 개선 기대 📌 HBM4E까지 자체 공정 확대 HBM4E에도 자체 4나노 베이스다이 적용 5월 HBM4E 12단 샘플을 주요 고객사에 선제 공급 동작속도 14Gbps에서 최대 16Gbps 구현 💻반도체 소부장💻 [그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi