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EUV 장비 없이 3나노 뚫는다"... 中, DUV로 차세대 GAA 트랜지스터 구현
~"EUV 장비 없이 3나노 뚫는다"... 中, DUV로 차세대 GAA 트랜지스터 구현
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"EUV 장비 없이 3나노 뚫는다"… 中, DUV로 차세대 GAA 트랜지스터 구현 - 글로벌이코노믹
미국의 고강도 대중 반도체 수출 규제로 네덜란드 ASML의 최첨단 극자외선(EUV) 노광장비 도입이 전면 차단된 상황에서, 중국 국립 연구진이 구형 심자외선(DUV) 장비를 활용해 3나노미터(nm) 이하 첨단 미세공정에 필수적인 '게이트올어라운드(GAA)' 트랜지스터 구조를 구현하는 데
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