국산 반도체 장비 중요 돌파! 북방화창, 3D DRAM 식각 기술 돌파...EUV 없이 첨단 메모리 제조

>>국산 반도체 장비 중요 돌파! 북방화창, 3D DRAM 식각 기술 돌파...EUV 없이 첨단 메모리 제조 •중국 반도체 장비 북방화창이 IEEE 학술지에 3D DRAM 제조 공정의 2단계 순환 식각 기술 발표. 이 기술은 EUV 노광장비 없이도 첨단 3D DRAM을 생산할 수 있는 가능성 제시 •북방화창은 실리콘과 실리콘게르마늄이 교대로 적층된 64층 3D DRAM 구조를 대상으로, ‘식각’과 ‘세정’을 반복하는 공정을 개발했음. 고종횡비 구조에서 실리콘 손상을 최소화하면서 실리콘게르마늄층을 선택적으로 제거하는 방식임. •논문은 실리콘게르마늄과 실리콘의 식각 선택비가 500:1 이상이며, 200nm 구조에서 실리콘층의 단일 식각 손실을 10Å(1nm) 이내로 억제. 64쌍 적층 구조에서는 95% 이상의 구조 균일도 확보 •업계는 CXMT가 북방화창의 국산 식각장비와 공정 적용시 EUV 의존도를 낮추면서 3D DRAM 자체 양산으로 진전할 가능성이 커질 것으로 평가 >国产半导体设备重大突破!北方华创宣布3D DRAM刻蚀突破:没有EUV也能造先进存储 https://cj.sina.cn/article/normal_detail?url=https://finance.sina.com.cn/stock/t/2026-09-05/doc-iniqutzk3471521.shtml