삼성, 차세대 메모리 로드맵 공개: HBM5 성능 HBM4E의 2배, zHBM 가속 성능 8배 향상 (중국언론)

>>삼성, 차세대 메모리 로드맵 공개: HBM5 성능 HBM4E의 2배, zHBM 가속 성능 8배 향상 (중국언론) •HBM5 베이스 다이 공정은 2나노로 올라가며, 성능은 HBM4E의 2배 달성을 목표로 함. 와트당 성능은 20% 향상하고, 동시에 열저항은 20% 낮추며, 2028년 양산을 예상함. 새로운 아키텍처의 zHBM은 HBM4E의 8배 성능을 목표로 하며, 와트당 성능은 3배 향상하고, 열저항은 75%~90% 낮추며, 2029년 이후 출시할 것으로 예상 >三星公布下一代存储路线图:HBM5性能为HBM4E的2倍,zHBM加速性能提升8倍 https://wallstreetcn.com/articles/3780856#from=ios