NAND 300층 돌파, 텅스텐에서 몰리브덴으로 전환...신규 장비 시장 확대 (대만경제일보)

>>NAND 300층 돌파, 텅스텐에서 몰리브덴으로 전환...신규 장비 시장 확대 (대만경제일보) •SemiAnalysis는 300층 이상 NAND에서 기존 텅스텐 워드라인이 높은 저항, 누설 전류, 초고심도 홀 충진 한계에 직면해 몰리브덴이 필수 소재가 될 것으로 전망했음. 몰리브덴은 낮은 저항과 누설 전류 억제, 우수한 충진 능력이 강점 •키옥시아와 WD 테스트에서 무불소 몰리브덴 공정은 누설 전류 불량률을 텅스텐의 1% 수준으로 낮추고, 동일한 실리콘 부피에서 비트 밀도를 16.3% 이상 높였음. 현재 NAND 적층은 SK하이닉스 321층이 선두이며, SK하이닉스는 연말까지 375층 제품을 출시할 계획임. 업계의 300층 이상 및 400층 이상 기술 전환도 본격화 •SemiAnalysis는 2027년 몰리브덴 공정의 NAND 생산능력 비중이 약 30%까지 상승, 몰리브덴 증착 장비 시장이 내년 10억 달러, 2030년 연간 약 20억 달러 규모로 확대 전망. 램리서치가 최초 양산용 몰리브덴 ALD 장비를 출시해 우선 수혜가 예상되며, 도쿄일렉트론, 어플라이드 머티어리얼즈, ASMI, NAURA도 수혜가 기대 •한편 YMTC 모회사는 330억 위안 규모 과창판 IPO를 추진중이나, NAND 적층 기술은 아직 300층 이상 경쟁에 진입하지 못했음 >https://money.udn.com/money/story/5599/9711461?from=ednappsharing