중국 기업, 3D DRAM 개발에 큰 진전... 넷이즈 산하 첸허이방, 자체 개발 4층 제품 성공적으로 웨이퍼 회수 (대만경제일보)

>>중국 기업, 3D DRAM 개발에 큰 진전... 넷이즈 산하 첸허이방, 자체 개발 4층 제품 성공적으로 웨이퍼 회수 (대만경제일보) •넷이즈 산하 첸허이방이 자체 개발한 세계 최초 4층 3D DRAM 컴퓨팅-메모리 일체형 칩의 테이프아웃 및 점등에 성공했음. 기술 검증에서 엔지니어링 구현 단계로 진입했다는 의미로, 향후 삼성전자·SK하이닉스 등 대형 업체에 대한 위협 가능성 •해당 칩은 ‘4+1’ 수직 적층 구조로 논리층 위에 DRAM을 직접 쌓아 신호 전달 거리를 줄이고 전력 소모를 낮추며 대역폭을 높이는 방식임. 다만 현재 4층 적층이라 HBM3e/HBM4의 8~16층 적층 및 대용량과는 격차가 있어 대형 LLM 학습보다는 AI 추론·클라우드 게임 등에 적합 •중국에서는 중국과학원 마이크로전자연구소의 4층 3D DRAM 적층, 쑤안먀오테크의 3D TokenPU 테이프아웃 등 관련 개발 급증 •다만 적층 수율, 방열, 수직 연결 안정성 등 양산 기술과 새로운 프로그래밍 모델·툴체인 구축 등 소프트웨어 생태계가 상용화의 주요 과제 >https://money.udn.com/money/story/5604/9709557?from=ednappsharing