HBM 다음은 ‘3D DRAM’...장비주도 움직이기 시작한다

🔥 HBM 다음은 ‘3D DRAM’...장비주도 움직이기 시작한다 SK하이닉스가 3D Stacked DRAM on Logic 개발을 구체화하면서 차세대 DRAM 경쟁이 본격적으로 시작되고 있습니다. 국내 장비업체들도 이미 관련 기술 개발에 들어갔습니다. 1 비아트론 → 3D DRAM 핵심인 Si/SiGe Epitaxy-CVD 장비 개발 → 100억원 규모 국책과제 주관, 향후 글로벌 반도체 업체와 양산성 평가 추진 2 테스 → 3D DRAM용 SiGe 고선택비 식각장비 국가 R&D 과제 직접 수행 → Si/SiGe 적층 구조에서 필요한 Selective Etch 기술 확보 추진 3 주성엔지니어링 → 3D 구조에서 중요도가 높아지는 ALD·ALG 증착 기술 보유 → 초미세 DRAM과 수직 적층 구조에 대응 가능한 장비 포트폴리오 구축 📌 HBM에서 ‘적층’이 장비주를 재평가시켰다면, 다음 변화는 DRAM 셀 자체를 위로 쌓는 3D DRAM입니다. 아직 초기 단계지만 장비 개발 → 고객사 평가 → 양산라인 채택으로 넘어가는 순간 관련 장비업체의 실적과 밸류에이션이 동시에 바뀔 가능성이 있습니다. 비아트론·테스는 이미 3D DRAM 관련 직접적인 R&D가 확인되고 있고, 주성엔지니어링은 핵심 ALD 기술을 기반으로 향후 수혜 가능성을 지켜볼 업체입니다. 🍀 기업탐방 중심의 독립리서치 ARIS 👉 https://t.me/aris1031