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CXMT가 DRAM 트랜지스터에 실리콘 대신 하프늄을 사용하여 1a 노드 이후로 나아갈 수 있는 발판 확보. 현재 월 20만장 규모의 웨이퍼 생산 능력을 홀해 …
뉴스: https://wccftech.com/cxmt-swaps-silicon-for-hafnium-inside-its-dram-transistors-unlocking-a-path-to-the-1a-node-and-beyond-as-its-capacity-to-hit-800000-wafers-per-month-by-2031/
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Wccftech
CXMT Swaps Silicon for Hafnium Inside Its DRAM Transistors, Unlocking A Path To The 1a Node And Beyond, As Its Capacity To Hit 800,000 Wafers Per Month By 2031
CXMT is already prototyping DDR6 and HBM3, closing a gap the 'Big Three' memory players had assumed would take years.
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