삼성전자, 엔비디아 차세대 메모리 칩 생산에 TSMC 기술 채택할 예정이라는 보도 (중국언론 인용)

>>삼성전자, 엔비디아 차세대 메모리 칩 생산에 TSMC 기술 채택할 예정이라는 보도 (중국언론 인용) •삼성전자는 TSMC의 3나노 공정을 활용해 엔비디아의 차세대 맞춤형 HBM 칩에 들어가는 베이스 다이를 생산할 예정임. 이는 삼성전자가 HBM 제조 과정에서 TSMC와 협력하는 첫 사례가 될 전망. 업계 관계자들에 따르면, 엔비디아는 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론에 TSMC 공정으로 NVHBM 베이스 다이를 제조하고, 핵심 메모리 칩에는 6세대 DRAM 기술을 적용하도록 요청 •엔비디아가 올해 8월 공개한 NVHBM은 자체 맞춤형 메모리 컨트롤러를 베이스 다이에 통합해 여러 메모리 공급업체에서 표준화된 방식으로 구현할 수 있도록 설계 •삼성전자는 내부 검토를 거쳐 엔비디아의 요구를 수용했지만, 표준 HBM과 다른 고객사를 위한 맞춤형 제품은 기존처럼 자체 생산 방식을 유지할 계획. 또한 TSMC의 생산능력이 수요를 충족하지 못할 경우, 자체 파운드리에서 NVHBM 베이스 다이를 생산할 수 있을지도 검토 >https://wallstreetcn.com/livenews/3180656?ivk=1#from=ios