SK하이닉스·삼성전자, 메모리 공급 부족 장기화에 용인 반도체 투자 속도전(TrendForce)

💻 SK하이닉스·삼성전자, 메모리 공급 부족 장기화에 용인 반도체 투자 속도전(TrendForce) 📌 SK하이닉스 Y1 장비 발주 본격화 용인 Y1 팹 1단계 장비 발주 시작, 초기 생산능력은 월 2만장 규모 가동 시점을 2027년 5월에서 2월로 앞당기고, 3~4월 장비 반입 확대 예정 메모리 공급 부족이 2027년 정점에 도달한 뒤 2030년대까지 이어질 가능성에 선제 대응 📌 1c D램 기반 HBM4E 생산거점 Y1은 최신 상용 공정인 6세대 10나노급 1c D램 중심으로 구축 DDR·LPDDR와 차세대 HBM4E 등 고부가 AI 메모리 생산에 활용 HBM4E는 이르면 2027년 상용화 목표 📌 후속 클린룸도 2026년 착공 Y1 2·3단계 클린룸 공사는 2026년 하반기 시작 전망 용인 4개 팹 완공 목표도 기존 2045년에서 2033년으로 12년 단축 AI 메모리 수요에 맞춰 생산능력 확보 시점을 전면적으로 앞당기는 전략 📌 삼성도 2029년 첫 팹 가동 삼성전자는 용인 6개 팹 중 첫 번째 공장을 2029년 가동할 계획 기존 2030~2031년 전망 대비 최대 2년 조기 가동 평택이 D램·HBM 중심이라면, 용인 첫 팹은 첨단 파운드리 거점으로 활용될 전망 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi