포스텍, 새로운 HBM 적층 한계 돌파 기술 공개...동일 높이에서 집적도 4배

💻 포스텍, 새로운 HBM 적층 한계 돌파 기술 공개...동일 높이에서 집적도 4배 📌 칩 전사·금속 접합을 한 번에 전사 프린팅과 인시투 본딩을 단일 공정으로 통합 칩 배치·접합·전기 연결을 한 단계에서 구현 적층 공정 단순화와 정렬 정밀도 개선 기대 📌 14μm 초박형 칩 10단 이상 안정 적층 머리카락 두께의 약 5분의 1 수준인 14μm 실리콘 칩 적용 180°C 이하, 20kPa 이하의 저온·저압 환경에서 적층 반복 적층에도 정렬 오차와 칩 휨 현상 최소화 📌 12단 HBM 대비 집적도 4배 동일한 패키지 높이에서 더 많은 칩을 적층할 수 있는 구조 기존 12단 HBM 대비 약 4배 높은 집적도 달성 AI 반도체의 성능과 패키징 효율 개선 가능성 부각 📌 HBM 넘어 칩렛·마이크로 LED 확장 초고단 HBM과 AI 반도체 패키징에 적용 가능 복수 기능 칩을 결합하는 칩렛 패키징에도 활용 기대 차세대 마이크로 LED 디스플레이 공정으로 확장 가능 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi