삼성·SK, HBM향 하이브리드 본딩 도입 시점 두고 고심

💻 삼성·SK, HBM향 하이브리드 본딩 도입 시점 두고 고심 https://n.news.naver.com/mnews/article/092/0002429391 📌 HBM4 적용 무산, HBM4E도 보수적 접근 삼성전자와 SK하이닉스는 차세대 HBM용 하이브리드 본딩 R&D를 지속 중 당초 HBM4부터 적용 가능성이 거론됐지만 실제 양산에는 기존 TC 본딩이 적용 현재는 16단 HBM4E부터 채택 가능성이 거론되나, 도입 시점이 추가로 밀릴 수 있다는 관측 확대 📌 두께 표준 완화로 기술 부담 낮아지는 구간 HBM3E까지 두께 표준은 720μm였으나 HBM4에서는 775μm로 상향 JEDEC은 HBM5 등 20단 차세대 HBM 두께를 900~1000μm 수준까지 완화하는 방안을 논의 중 두께 제한이 완화되면 D램 간격을 극한까지 줄일 필요가 낮아져 하이브리드 본딩 도입 압박도 완화 📌 16단보다 12단 HBM4E가 주력 가능성 고객사와 메모리 업체 간 16단 HBM 논의가 아직 활발하지 않은 상황 업계에서는 HBM4E에서도 12단 제품이 주력으로 쓰일 가능성이 높다는 전망 고적층 수요가 예상보다 늦어질 경우 하이브리드 본딩 장비·소재 관련 투자 속도도 조절될 가능성 📌 HBM5E 4096 I/O가 본격 도입 트리거 HBM4는 HBM3E 대비 I/O 수가 2배 늘어난 2048개로 구현 중장기적으로 HBM5E에서 I/O 수가 4096개까지 확대될 경우 TC 본딩 한계가 부각될 전망 I/O 간격이 극도로 좁아지는 구간에서는 구리 배선을 직접 연결하는 하이브리드 본딩 필요성이 다시 커질 가능성 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi