400단 NAND 경쟁 본격화...삼성·SK·키옥시아 기술전

💻 400단 NAND 경쟁 본격화...삼성·SK·키옥시아 기술전 📌 400단이 차세대 분기점 NAND 경쟁의 초점이 400단급 적층으로 이동 삼성은 V10 NAND로 400단 이상 진입을 추진 SK하이닉스는 연말 375단 양산을 목표로 개발 중 📌 삼성은 W2W 본딩 도입 삼성 V10 NAND는 2026년 하반기 양산 목표 깊은 채널홀 구현을 위해 극저온 식각 도입을 추진 W2W 본딩과 레이저 다이싱도 수율 개선 핵심 기술 📌 SK하이닉스는 몰리브덴 전환 SK하이닉스 375단은 기존 400단급 계획에서 조정된 구조 워드라인 일부를 텅스텐에서 몰리브덴으로 전환 고적층에서 저항을 낮춰 읽기·쓰기 성능을 높이는 전략 📌 키옥시아는 CBA로 차별화 키옥시아는 332단 BiCS10 샘플을 2026년 여름 목표 CBA 구조로 셀 어레이와 주변회로 웨이퍼를 분리 후 접합 전송속도 33%, 저장밀도 59% 개선을 제시 📌 투자 포인트 NAND 스케일링은 단순 적층 경쟁에서 공정·구조 경쟁으로 진화 극저온 식각, 본딩, 몰리브덴, 전압 최적화가 핵심 변수 AI 데이터센터 SSD 수요 확대와 맞물려 고단 NAND 경쟁이 재점화 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi