[단독]마이크론 “4F2 D램은 신화일 뿐” 공식 포기... '3D D램·웨이퍼 본딩' 집중 승부수

💻 [단독]마이크론 “4F2 D램은 신화일 뿐” 공식 포기... '3D D램·웨이퍼 본딩' 집중 승부수 https://n.news.naver.com/mnews/article/030/0003477463 마이크론이 차세대 D램 기술 로드맵을 공개하면서 4F2 셀 구조 개발을 포기하고, 웨이퍼 본딩과 3D D램으로 방향을 전환한다고 발표. 📌 핵심 내용 📍 1 4F2 D램 포기 기존 D램의 6F2 셀 면적을 4F2로 축소하면 이론적으로 집적도를 50% 높일 수 있음. 하지만 마이크론은 20년 이상 연구한 결과, 기술적 난제와 실질적인 경제성 문제로 4F2의 이점이 제한적이라고 판단. 반면 삼성전자와 SK하이닉스는 VCT 기반 4F2 기술 개발을 추진 중. 📍 2 웨이퍼 본딩·3D D램으로 전환 2027년 하반기 1δ D램 양산 예정. 후속 1ε 공정부터 웨이퍼 본딩 도입. 이후 1ζ~1η 구간에서 3D D램 도입 추진. 셀 면적을 줄이는 대신 수직 적층을 통해 집적도를 높이겠다는 전략. 📍 3 버티컬 HBM 공개 기존 HBM은 GPU 등 프로세서 옆에 배치. 차세대 버티컬 HBM은 프로세서 위에 직접 적층하는 방식. 하이브리드 본딩 기술을 활용해 데이터 전송 거리 단축 및 대역폭 개선 추구. 📌 투자 시사점 이번 발표의 핵심은 D램 집적도 향상을 위한 기술 경쟁이 '평면 미세화'에서 '수직 적층·본딩'으로 확장되고 있다는 점. 마이크론은 삼성전자·SK하이닉스가 연구 중인 4F2를 건너뛰고 3D D램으로 직행하는 전략을 선택. 이에 따라 중장기적으로 웨이퍼 본딩, 하이브리드 본딩, 정밀 정렬, 검사·계측 관련 장비의 중요성이 확대될 가능성에 주목할 필요. 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi