CoWoS-S·L·R 구조 비교

💻 CoWoS-S·L·R 구조 비교 📌 CoWoS 개요 CoWoS는 로직 반도체와 HBM 등 이종 칩을 하나의 패키지에 통합하는 2.5D 첨단 패키징 기술 핵심 목적은 칩 간 데이터 이동 거리 단축과 대역폭 확대 AI GPU·HPC·ASIC 성능 고도화에 필수적인 패키징 플랫폼 📌 CoWoS 구조 상단에는 HBM 및 SoC/SoIC 배치 중간에는 칩 간 연결을 담당하는 Interposer 적용 하단에는 외부 회로와 연결되는 Package Substrate 실장 즉, Top Chips → Interposer → Substrate 로 이어지는 2.5D 패키징 구조 📌 주요 라인업 💻 CoWoS-S Silicon Interposer 기반 구조 전체 인터포저에 실리콘 적용 고밀도 배선과 높은 신호 무결성 확보에 유리 ✔️ 특징 • 가장 높은 배선 밀도 • 우수한 신뢰성 • 고성능 AI/HPC 패키지에 적합 • 상대적으로 높은 원가 구조 💻 CoWoS-L RDL Interposer + Local Silicon Interconnect 구조 RDL 인터포저 내부에 소형 실리콘 브릿지인 LSI 삽입 전체 실리콘 인터포저 사용을 줄이면서 핵심 연결부 성능 보완 ✔️ 특징 • 성능과 비용의 절충형 구조 • 고속 신호 연결부에 LSI 적용 • CoWoS-S 대비 원가 부담 완화 • 차세대 고성능 패키징에서 주목 💻 CoWoS-R RDL Interposer 기반 구조 유기 재료 기반 RDL, 즉 재배선층 활용 실리콘 인터포저 의존도를 낮춘 비용 효율형 구조 ✔️ 특징 • 원가 절감에 유리 • 대면적 설계 유연성 확보 • 실리콘 사용 최소화 • CoWoS-S 대비 배선 밀도는 제한적 📌 라인업별 포지셔닝 💻 CoWoS-S 고성능·고신뢰성 중심 💻 CoWoS-L 성능·원가 균형 중심 💻 CoWoS-R 비용 효율·설계 유연성 중심 📌 핵심 정리 CoWoS의 본질은 HBM과 로직 칩 간 초고속 연결 구조 차별화 포인트는 인터포저 재질과 연결 방식 AI 반도체 성능 경쟁이 심화될수록 CoWoS-S, CoWoS-L, CoWoS-R의 역할 분화가 더욱 중요해질 전망 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi