포토닉스-전자 융합 디바이스 — 실리콘의 한계와 III-V 화합물반도체의 역할

💻 포토닉스-전자 융합 디바이스 — 실리콘의 한계와 III-V 화합물반도체의 역할 📌 핵심 구조 광 송신 시스템 기본 구성: TX(송신) → 웨이브가이드 → 증폭기 → 웨이브가이드 → RX(수신) 고성능 광 디바이스와 첨단 패키징 통합 기술이 동시에 요구되는 구조 📌 실리콘의 한계 실리콘은 발광(Light Emission) 원천 불가 — 광원·증폭기 구현 불가능 변조기(Modulator)도 제한적(Limited) 수준에 그침 웨이브가이드·검출기(Detector)는 실리콘으로 구현 가능 📌 III-V 화합물반도체(InP/GaAs)의 역할 광원·변조기·증폭기·검출기·웨이브가이드 전 항목 구현 가능 실리콘이 커버하지 못하는 발광·증폭 영역을 완전 대체 → 포토닉스-전자 융합 시스템에서 III-V 소재는 선택이 아닌 필수 📌 투자 시사점 AI 데이터센터 광인터커넥트(CPO·NPO) 확산 → InP/GaAs 기반 광소자 수요 구조적 증가 실리콘 포토닉스만으로는 완결 불가 — III-V/Si 하이브리드 통합 기술이 핵심 경쟁력으로 부상 관련 소재·에피웨이퍼·레이저 다이오드 밸류체인 주목 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi