삼성전자, 7세대 HBM 개발 속도... 5월 첫 샘플 나온다

✅ 삼성전자, 7세대 HBM 개발 속도... 5월 첫 샘플 나온다 https://www.chosun.com/economy/tech_it/2026/04/16/MRQTCNZYGA2WCNBSMI4DQZRXMM/ 📌 HBM4E 샘플 개발 삼성전자가 7세대 HBM인 ‘HBM4E’의 5월 첫 검증용 샘플 생산을 목표 중 파운드리 사업부에서 로직 다이를 생산한 뒤 메모리 사업부가 HBM4E용 D램과 패키징을 진행 내부 검증을 거쳐 엔비디아에 샘플 납품할 계획 📌 기술적 특징 로직 다이: 4나노 파운드리 공정 적용 D램: 10나노급 6세대(1c) 공정 기반 HBM4 대비 성능을 개선하면서 공정 안정성과 기술 완성도를 확보하는 전략 📌 차세대 시장 선점 전략 삼성전자는 이미 HBM4 업계 첫 양산 출하를 발표하며 시장 진입에 성공 HBM4E 개발을 통해 차세대 AI 메모리 시장 주도권 확보를 노림 과거 HBM 시장에서의 열세를 만회하기 위한 전략적 행보로 해석 📌 경쟁사 동향 SK하이닉스 역시 HBM4E 개발을 추진 중 차세대 D램과 TSMC 3나노 로직 다이 적용을 검토하며 성능 경쟁에 집중 엔비디아의 차세대 AI 칩 ‘베라 루빈’ 출시 지연으로 초기 생산량은 일부 조정될 가능성 ✅ 독립리서치 그로쓰리서치 https://t.me/growthresearch