삼성 HBM4E 양품률 70% 돌파, 7세대 AI 메모리 개발 안정 단계 진입 (중국언론 인용)

>> 삼성 HBM4E 양품률 70% 돌파, 7세대 AI 메모리 개발 안정 단계 진입 (중국언론 인용) •삼성전자의 AI 메모리가 다시 ‘히든 카드’를 꺼냈음. HBM4E 테스트 양품률이 70%를 돌파하며 안정 단계에 진입. 차세대 DRAM 공정은 11월 양산 인증을 목표로 개발이 진행 중이며, 엔비디아 차세대 AI 칩 수요 사이클 선점을 노리고 있음 >三星HBM4E良率突破70%,第七代AI内存开发进入稳定阶段 https://wallstreetcn.com/articles/3775933#from=ios