어쩔 수 없다" 삼성의 '승부수'...고심 깊어진 SK하이닉스(HBM 베이스 다이)

✅ "어쩔 수 없다" 삼성의 '승부수'...고심 깊어진 SK하이닉스(HBM 베이스 다이) https://www.hankyung.com/article/202603216872i#_enliple 📌 1) 핵심 결론 삼성전자: 고성능 HBM4를 앞세워 공급 확대(공격적 전략) SK하이닉스: 공정 선택(12nm vs 3nm)에서 전략적 고민 심화 경쟁 초점: HBM 성능 + 전력 효율을 좌우하는 ‘베이스다이 공정’ 📌 2) 삼성전자 전략 (공격적 선제 대응) ■ HBM4 속도: 13Gb (업계 최고 수준, 경쟁사 11.7Gb 대비 우위) 전략: 엔비디아 공급 “압도적으로 확대” 핵심 기술 4nm 파운드리 기반 베이스다이 MIM 커패시터 적용 → 전력 안정성 개선 의미: → 성능 + 전력 효율 동시 달성 → AI용 HBM 요구 조건 선제 대응 ■ HBM4E (차세대) 속도: 16Gb (HBM4 대비 +23%) 전력: 동일 수준 유지 공정: 개선된 4nm 일정: 2026년 3Q 샘플 4Q 양산 ■ 중장기 로드맵 HBM5: 2nm 베이스다이 적용 예정 ✔️ 요약 → 삼성은 “첨단 공정 기반 고성능 풀라인업 전략” 📌 3) SK하이닉스 상황 (방어 + 선택의 딜레마) ■ HBM4 속도: 11.7Gb (엔비디아 요구 수준 충족) 상태: 엔비디아 샘플 제출 완료 공정: TSMC 12nm (구형 공정) 👉 문제: 삼성 대비 성능 + 공정 경쟁력 열위 검증 속도도 상대적으로 늦음 ■ HBM4E 대응 전략 D램: 삼성과 동일한 1C 적용 예정 핵심 고민: 베이스다이 공정 선택 ✔️ 옵션 1: 12nm 유지 장점: 원가 경쟁력 단점: 성능 열위 지속 ✔️옵션 2: 3nm 전환 (검토 중) 장점: 성능 개선 가능 단점: 원가 급증 (웨이퍼 4~5배) 👉 딜레마: 성능 vs 수익성 트레이드오프 📌 4) 경쟁 본질 ■ 게임의 룰 변화 과거: D램 적층 기술 중심 현재: → 베이스다이(로직 공정)가 승부 핵심 ■ 고객 요구 (엔비디아 중심) 고속 (≥10~11Gb) 저전력 발열 관리 👉 결과: 파운드리 공정 경쟁력 = HBM 경쟁력 ✅ 그로쓰리서치 텔레그램 https://t.me/growthresearch