TSMC 샬룬 6개 팹 구축...A14→1nm→차세대 초미세 공정 로드맵 구체화

✅ TSMC 샬룬 6개 팹 구축...A14→1nm→차세대 초미세 공정 로드맵 구체화 📌 샬룬 신공장 로드맵 샬룬 과학단지에 총 6개 웨이퍼 팹 구축 계획 P1~P3는 1.4nm급 A14 공정 중심, P4~P6는 1nm 공정 중심으로 예상 후속 단계에서는 0.7nm 기술 도입 가능성도 거론 📌 공정 전환 타임라인 N2(2nm)는 2025년 말 양산 진입, 2026년 애플·AMD 중심 본격 채택 예상 A16은 엔비디아 Feynman GPU에 첫 적용 전망, 2026년 말 리스크 생산·2027년 양산 예상 A14는 2028년 전후 도입 예상되며 2세대 GAA와 백사이드 전력공급 적용 전망 📌 1nm 이후 관전 포인트 1nm 세부 기술은 아직 미공개지만 GAA에서 CFET로의 구조 진화 가능성 부각 장기적으로는 2D 소재 적용 가능성도 거론되나 아직 불확실 TSMC는 2030년 전후 1nm, 단일 칩 2000억 트랜지스터·3D 패키징 기반 1조 트랜지스터 목표 제시 📌 투자 시사점 TSMC의 초미세 공정 로드맵이 A16→A14→1nm까지 보다 구체화되는 흐름 엔비디아·애플·AMD 등 대형 고객의 선단 공정 채택이 지속되며 AI/HPC 중심 수요 강화 향후 핵심 경쟁은 미세화 자체보다 트랜지스터 구조 혁신 + 3D 패키징 확장으로 이동 가능 ✅ 그로쓰리서치 텔레그램 https://t.me/growthresearch