다이가 다르다...삼성·SK, 차세대 HBM '두뇌' 로직다이서 엇갈린 전략

✅ 다이가 다르다...삼성·SK, 차세대 HBM '두뇌' 로직다이서 엇갈린 전략 https://zdnet.co.kr/view/?no=20260311112457#_enliple 📌 로직 다이 중요도 상승 로직 다이는 HBM의 컨트롤러 역할을 담당하며 GPU와 데이터 연결 HBM 세대가 진화할수록 대역폭·전력 효율을 좌우하는 핵심 칩으로 부상 HBM4부터는 DRAM 공정이 아닌 파운드리 공정으로 생산 전환 📌 삼성전자: 성능 중심 초미세 공정 전략 HBM4 로직 다이를 8nm → 4nm로 상향 향후 HBM4E에서는 최대 2nm까지 적용 검토 커스텀 HBM 시대를 대비해 고대역폭·저전력 달성의 핵심을 로직 다이 공정 고도화로 판단 📌 SK하이닉스: 비용 효율 중심 전략 HBM4 로직 다이 TSMC 12nm 공정 적용 HBM4E 일부 제품은 3nm 적용 검토 다만 기본적으로 12nm 유지하며 비용 최적화 전략 유지 📌 전략 차이의 의미 삼성: 초미세 공정 기반 성능 극대화 SK하이닉스: 공정 안정성과 비용 효율 우선 향후 HBM4 시장 경쟁과 커스텀 HBM 시대 주도권에 영향을 줄 핵심 변수 ✅그로쓰리서치 텔레그램 https://t.me/growthresearch