삼성전자, 7세대 HBM부터 새 전력망 도입...데이터 병목 현상 없앤다

✅ 삼성전자, 7세대 HBM부터 새 전력망 도입...데이터 병목 현상 없앤다 https://n.news.naver.com/mnews/article/015/0005259922 📌 HBM 내부 전력망(PDN) 설계 변경 삼성전자가 7세대 HBM(HBM4E)부터 새로운 전력 배선 구조를 도입 예정 칩 내부 데이터·전력 병목 현상(IR Drop)을 줄이기 위한 설계 변화 📌 HBM 고도화로 전력 전달 문제 확대 HBM은 HBM3E → HBM4 → HBM4E → HBM5로 갈수록 용량과 대역폭이 빠르게 증가 이 과정에서 - TSV(실리콘관통전극) - 전력 공급 배선 - 금속층 이 함께 늘어나며 칩 내부 구조가 점점 고밀도화 배선이 가늘어지고 간격이 좁아지면서 → 저항 증가 → IR Drop(전압 강하) 발생 → 발열 증가 및 성능 저하 가능 📌 전력망 병목 해결을 위한 구조 변경 기존 HBM 전력망은 아래에서 위로 갈수록 급격히 좁아지는 구조 이로 인해 톨게이트처럼 병목 현상 발생 삼성전자는 베이스 다이 하단의 대형 배선 블록을 4개로 분산 상위 층에서도 배선 블록 수를 늘려 전력 흐름 균형화 → 전력 분산 공급 구조로 변경 📌 성능·안정성 개선 효과 삼성전자 발표 기준 금속 회로 불량률 97% 감소 IR Drop 문제 41% 개선 → HBM 구동 속도 및 안정성 향상 📌 EDA 협업으로 설계 시간 단축 전력망 세분화 설계는 개발 시간이 늘어나는 단점 존재 삼성전자는 Synopsys·Ansys 등 EDA 업체와 협업 자동 배선 설계툴을 활용해 기존 12주 소요 설계 작업 → 약 2.5주로 단축 📌 핵심 의미 HBM 성능 경쟁이 단순 대역폭·용량 경쟁 → 전력망(PDN) 설계 경쟁으로 확장 차세대 HBM에서 칩 내부 전력 전달 효율이 핵심 기술 포인트로 부상 ✅그로쓰리서치 텔레그램 https://t.me/growthresearch