차세대 HBM '두께 완화' 본격화...삼성·SK 본딩 기술 향방은

✅ 차세대 HBM '두께 완화' 본격화...삼성·SK 본딩 기술 향방은 https://zdnet.co.kr/view/?no=20260306094650 📌 차세대 HBM, 두께 규격 완화 논의 본격화 국제반도체표준화기구 JEDEC에서 차세대 HBM 두께를 825~900μm 이상으로 완화하는 방안이 논의 중. HBM3E: 720μm HBM4: 775μm 차세대(HBM4E·HBM5): 825~900μm 이상 → 20단 적층 구조가 요구되면서 기존 두께 규격으로는 기술적 한계 발생. 📌 왜 두께 완화가 필요해졌나 1️⃣ 20단 적층 한계 HBM4E 이후 20단 DRAM 적층 필요 기존 기술(씨닝, TC 본딩 등)만으로는 두께 축소 한계 2️⃣ TSMC 패키징 구조 변화 AI 가속기 패키징 CoWoS → SoIC(3D 적층) 진화 SoIC 적용 시 GPU/시스템반도체 자체 두께 증가 → HBM도 두께를 같이 늘려야 패키징 구조 맞출 수 있음 📌 기술 영향: 하이브리드 본딩 도입 속도 변수 HBM 두께 완화는 하이브리드 본딩 도입을 늦출 가능성. 기존 방식 - TC 본딩 - 열과 압착으로 DRAM 연결 - 현재 양산 표준 차세대 방식 - 하이브리드 본딩 - 구리 배선을 직접 접합 - DRAM 간 간격 거의 0 하지만 초정밀 정렬 필요 CMP 공정 난이도 높음 20개 칩 접합 시 수율 급락 가능 → 아직 HBM 양산 적용 사례 없음 📌 업계 전망 두께 50μm만 완화돼도 20단 HBM 구현 가능 TC 본딩 설비 활용 가능 → 대규모 CAPEX 절감 → 메모리 기업들은 두께 완화에 우호적 📌 핵심 산업 의미 1️⃣ HBM 기술 경쟁의 핵심 변수 = 본딩 기술 2️⃣ 삼성: 하이브리드 본딩 적극 개발 3️⃣ SK하이닉스: 기존 TC 본딩 고도화 전략 → HBM4 이후 기술 방향을 두고 삼성 vs SK 전략 차이 가능 ✅ 그로쓰리서치 텔레그램 https://t.me/growthresearch