Micron의 초대형 미국 메모리 팹 건설

✅Micron의 초대형 미국 메모리 팹 건설 📌왜 ‘세계 최고 수준 메모리 팹’이 장비를 더 잡아먹나 HBM·첨단 DRAM은 공정 미세화 + 적층 + 수율 관리가 관건 공정 난이도↑ → 장비 수량·사양·중복 투입 모두 증가 특히 미국 내 최첨단은 초기 러닝에서 계측·리워크 비중이 큼 📌공급망 병목의 실제 위치 📍Lithography – ASML EUV/High-NA는 대체 불가 메모리 미세화·패턴 정확도 요구로 EUV 레이어 수 증가 📍Deposition / Etch – AMAT DRAM·HBM의 핵심은 막질·식각의 균일성 고종횡비(HAR) 구조 확대 → 다중 공정·반복 공정 📍Metrology / Inspection – KLA 수율을 돈으로 바꾸는 마지막 관문 적층·미세화 동시 진행 → 결함 검출 빈도 급증 📌메모리 사이클 관점에서의 타이밍 AI 서버 수요 → HBM 구조적 성장 가격 회복 국면에서 선제 CAPEX는 수율·원가 우위로 직결 → 장비사는 사이클 상단 이전에 주문 인식 ✅독립리서치 그로쓰리서치 https://t.me/growthresearch