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[단독] SK하이닉스, 내년 300단대 'V10 낸드' 낸다

growthresearch ↗ · 2025-12-08 07:52
#이닉스#트레스#하이브#삼성전자#SK하이닉스
✅[단독] SK하이닉스, 내년 300단대 'V10 낸드' 낸다 https://n.news.naver.com/mnews/article/015/0005221267 📌SK하이닉스, 300단대 ‘V10’ 낸드 개발 중 → 내후년 양산 목표 현재 321단(V9) 양산 중 300단대 10세대(V10) 개발 완료 → 내년 시험라인 → 내후년 초 양산 로드맵 V10의 핵심: ‘하이브리드 본딩(Hybrid Bonding)’ 첫 적용 ➡️ SK하이닉스도 본격적으로 웨이퍼-투-웨이퍼 본딩 구조로 전환하며 첨단 경쟁 가속 📌하이브리드 본딩으로 바꾸는 이유 하이브리드 본딩 구조 (Cell 웨이퍼 + Peripheral 웨이퍼) 두 장의 웨이퍼를 나노미터 정밀도로 결합 장점 주변회로부가 고온 스트레스에서 해방 Cell·Peripheral 웨이퍼 동시 병렬 생산 가능 → TAT 단축 전기적 연결 안정성↑, 단수 증가에 유리 ✅그로쓰리서치 텔레그램 https://t.me/growthresearch
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[단독] SK하이닉스, 내년 300단대 'V10 낸드' 낸다 [강해령의 테크앤더시티]
SK하이닉스가 '하이브리드 본딩' 공정을 적용한 300단대 낸드를 내후년 양산 목표로 개발 중인 것으로 확인됐다. 삼성전자, 중국 양쯔메모리(YMTC), 일본 기옥시아 등 세계 낸드 제조사들에 이어 하이브리드 본딩을

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