TSMC HBM3E → HBM4로 갈 때 DRAM 공정 기반 베이스 다이에서 로직 공정(N12)으로 전환됨

✅TSMC HBM3E → HBM4로 갈 때 DRAM 공정 기반 베이스 다이에서 로직 공정(N12)으로 전환됨 → 대역폭 증가 + 전력 효율 개선 📌C-HBM4E는 TSMC N3P 기반 커스텀 베이스 다이 → 로직(메모리 컨트롤러 포함)이 메모리 스택 가까이 배치 → 전력 효율이 가장 뛰어남 📍HBM3E Base Die: DRAM 공정 📍HBM4 Base Die: TSMC N12 로직 공정 📍C-HBM4E (Custom HBM4E) Base Die: TSMC N3P 로직 공정 → 지연(Latency) 감소 + 전력 효율 극대화 N12 → N3P로 갈수록 로직 전력효율이 큰 폭으로 상승 🔥HBM4는 로직 공정(N12)로 넘어가며 전력효율이 크게 오르고, C-HBM4E는 N3P + MC 통합으로 2배 효율을 달성하는 차세대 메모리 아키텍처 ✅그로쓰리서치 텔레그램 https://t.me/growthresearch