텅스텐 가고 몰리브덴 온다...반도체 소재 세대교체 가속

>>텅스텐 가고 몰리브덴 온다...반도체 소재 세대교체 가속 •3D NAND 적층 수가 300단을 돌파하면서 10여 년간 사용돼 온 텅스텐(W) 배선 소재가 물리적 한계에 도달하고 있음. SK hynix의 375단 NAND 양산이 임박한 가운데, 삼성전자와 마이크론도 뒤따르면서 ‘텅스텐에서 몰리브덴(Mo)으로’의 소재 전환이 본격화되고 있음. •몰리브덴은 별도의 배리어층(차단층)이 필요 없고, 나노미터 공정에서의 저항률이 텅스텐의 약 60% 수준에 불과하며, ALD(원자층 증착) 기반 첨단 공정과도 높은 적합성을 보유하고 있음. •업계는 NAND뿐 아니라 DRAM, 로직 반도체까지 몰리브덴 적용이 확대되면서 수천억 위안 규모의 반도체 소재 공급망이 재편될 것으로 보고 있음. 또한 이 과정에서 중국 반도체 소재 업체들의 국산화(수입대체) 기회도 확대될 것으로 전망 >钨退钼进,势不可挡? https://wallstreetcn.com/articles/3774644#from=ios