GaN vs SiC, 3세대 반도체 경쟁 본격화...AI 데이터센터가 GaN의 두 번째 성장동력

>>GaN vs SiC, 3세대 반도체 경쟁 본격화...AI 데이터센터가 GaN의 두 번째 성장동력 •AI 대형모델 확산으로 데이터센터의 핵심 과제가 연산력에서 전력 효율로 이동하면서, 3세대 반도체인 질화갈륨(GaN)이 주목받고 있음. GaN은 실리콘보다 넓은 밴드갭과 빠른 전자 이동 속도, 낮은 전력 손실을 바탕으로 더 높은 전압을 견디면서도 칩 크기를 줄이고 전력 변환 효율을 높일 수 있음. •특히 MHz급 고주파 동작이 가능해 전원장치 내 변압기와 인덕터 크기를 크게 줄일 수 있으며, 데이터센터 전원 효율을 96%에서 98%로 높이는 것만으로도 대규모 AI 데이터센터의 전력비와 냉각 비용을 크게 절감할 수 있음. •AI GPU 클러스터의 전력 소모가 이미 100kW를 넘어 MW급으로 확대되는 가운데 기존 48V·12V 저전압 배전 방식은 전력 손실과 발열 문제가 커지고 있음. 이에 따라 엔비디아가 추진하는 800V 직류 배전 체계가 차세대 AI 데이터센터 표준으로 부상하고 있으며, 업계는 GaN이 급속충전 시장에 이어 AI 데이터센터 전력 공급망에서 두 번째 성장 국면을 맞이할 것으로 보고 있음 >第三代半导体“双雄会”:GaN凭什么在800V高压时代与SiC分庭抗礼? https://wallstreetcn.com/member/articles/3773239#from=ios