SK hynix, HBM 이후 ‘HBF → HBS’로 확장하는 차세대 메모리 전략

✅SK hynix, HBM 이후 ‘HBF → HBS’로 확장하는 차세대 메모리 전략 📌HBM 성공 이후의 새로운 축 — HBF(High-Bandwidth Flash) SK hynix + SanDisk가 협력하여 HBF(High-Bandwidth Flash) 개발 중. DRAM 대신 NAND를 TSV(Through-Silicon Via) 방식으로 수직 적층한 형태. 목표: AI 추론(inference) 중심의 고대역폭·대용량 메모리 제공. 특징 기존 HBM 대비 용량 8~16배 확장 대규모 AI 데이터세트 처리용으로 설계됨. 로드맵 현재 개발 단계, 2029~2031년 상용화 예상. 📌HBS(High-Bandwidth Storage) — 모바일 AI용 차세대 메모리 HBF가 서버·AI용이라면, HBS는 모바일 AI용. SK hynix가 독자 개발 중이며, DRAM과 NAND를 하나의 패키지로 결합. 핵심 기술 TSV 대신 VFO(Vertical Wire Fan-Out) 구조 채택. DRAM 16단 + NAND 16단 수직 결합 가능. 기존 TSV 대비 수율↑, 비용↓, 열 효율↑. 특징 낮은 전력 소비 및 패키지 높이 27% 감소. 와이어 길이 4.6배 단축 → 전력 효율 4.9% 개선. 발열 해소율 1.4% 향상. HBM → HBF → HBS는 SK hynix가 단순 메모리 제조업체에서 AI·모바일 데이터 처리 아키텍처 핵심기업으로 진화 중임을 의미. HBM이 서버·GPU용 AI 훈련 메모리라면, HBS는 스마트폰용 ‘온디바이스 AI 메모리’의 표준 후보로 부상. ✅독립리서치 그로쓰리서치 https://t.me/growthresearch