인텔, DRAM 시장에 ‘재진입’ 시도?

>>인텔, DRAM 시장에 ‘재진입’ 시도? •인텔이 기술 협력을 통해 고성능 메모리 시장 재진입을 모색하고 있음. 샌디아 국립연구소와 함께 추진 중인 ‘차세대 DRAM 본딩(next-generation DRAM bonding)’ 프로젝트는 HBM 성능 한계를 구조적으로 돌파하는 것이 목표임. 동시에 소프트뱅크와 합작사 ‘사이메모리(Saimemory)’를 설립해 저전력 적층 DRAM 솔루션을 개발 중임. 이 같은 행보는 인텔이 공정 경쟁이 아닌 아키텍처 혁신을 통해 AI 메모리 트랙에 진입하려는 전략으로 해석되며, AI 메모리 생태계 내 영향력 및 발언권 확보를 노리는 움직임 >https://wallstreetcn.com/articles/3764289#from=ios