[단독] HBM 병목 겨냥한 美 '케플러'..."EUV 없이 메모리 집적도 높인다"

💻 [단독] HBM 병목 겨냥한 美 '케플러'..."EUV 없이 메모리 집적도 높인다" https://www.bizwnews.com/news/articleView.html?idxno=147808 📌 EUV 의존도 낮춘 ‘3D 적층 메모리’ - 기존 트랜지스터 미세화 대신 수직 방향으로 소자를 쌓는 3D 구조와 신규 소재를 결합해 단위 면적당 집적도 향상 추진 - 기존 28nm 생산시설을 활용하면서도 첨단 노드에 근접한 집적도를 구현하는 것이 핵심 - 기존 팹에 추가 공정 장비를 도입하는 방식으로 생산시설 확장이 가능해 신규 첨단 팹 대비 투자 부담을 낮출 수 있다는 구상 📌 HBM 병목 겨냥...SRAM급 전력 효율 목표 - AI 가속기의 핵심 병목인 GPU-메모리 간 데이터 이동을 줄이기 위해 HBM 내부에 SRAM에 가까운 고속 메모리 영역 구현 추진 - 같은 면적에 더 많은 메모리를 배치해 연산부와 메모리 간 물리적 거리를 줄이고 데이터 이동 에너지 절감 목표 - HBM과 SRAM을 단순 대체하는 개념이 아니라 두 메모리 사이의 새로운 계층을 만드는 접근 📌 강유전체 기술로 SRAM 집적도 확대 - 강유전체(Ferroelectric) 소재의 낮은 전압에서도 데이터를 읽고 쓸 수 있는 특성을 활용해 SRAM 집적도 향상 기술 개발 - 3D 적층 메모리·강유전체 메모리·연산 로직 적층 구조·고밀도 FeRAM 등 관련 기술을 지속적으로 특허 출원 - 글로벌파운드리스와 싱가포르에서 기술 시험 중이며 미국 버몬트 팹에서도 개발 진행 📌 4.68억달러 투자 유치...2027년 양산 확대 - 누적 4억6,800만달러 투자 유치, 글로벌파운드리스·인텔캐피털·AMD 벤처스·영국투자청 등이 투자자로 참여 - 2026년 말 첫 샘플 생산, 2027년 생산 확대, 2028년 이후 미국 내 생산능력 확대 계획 - AI 메모리 수요 급증과 HBM 공급 병목이 지속되는 가운데 실제 샘플 성능과 양산 수율 검증이 향후 핵심 관전 포인트 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi