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삼성전자 TSMC, 차세대 EUV 양산 적용 시점 공개...삼성 DRAM 2028년, TSMC 로직 2030년 [Nikkei XTECH]
💻 삼성전자 TSMC, 차세대 EUV 양산 적용 시점 공개...삼성 DRAM 2028년, TSMC 로직 2030년 [Nikkei XTECH]
https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/column/18/00001/12027/
📌 삼성, 2028년 차세대 EUV로 DRAM 양산
삼성전자는 차세대 EUV 노광 기술을 2028년부터 DRAM 양산에 적용할 계획
메모리 미세화 경쟁에서 차세대 EUV를 활용해 선단 DRAM 공정 경쟁력 강화 추진
📌 TSMC는 2030년 로직 반도체 적용
TSMC는 차세대 EUV 기술을 2030년부터 로직 반도체 양산에 적용할 계획
선단 로직 공정의 추가 미세화를 위한 핵심 노광 기술로 활용 전망
📌 인텔은 2026년 7월 양산 선점
인텔은 업계에 앞서 2026년 7월 차세대 EUV를 활용한 양산 개시를 발표
TSMC·삼성전자까지 적용 로드맵을 구체화하면서 선단공정 경쟁의 핵심 축으로 부상
📌 차세대 EUV, 반도체 미세화 경쟁 핵심 변수
차세대 EUV 기술이 연구·개발 단계를 넘어 본격적인 양산 적용 단계로 진입
인텔·삼성전자·TSMC에 이어 SK까지 도입 경쟁에 참여하며 관련 장비·부품·소재 수요 확대 주목
💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치]
https://telegram.me/growth_semi
日経クロステック(xTECH)
TSMCとサムスン、次世代EUVの導入時期表明 インテルやSKと競う
台湾積体電路製造(TSMC)と韓国Samsung Electronics(サムスン電子)はそれぞれ、次世代のEUV(極端紫外線)露光技術の量産適用時期を発表した。TSMCは2030年からロジック半導体の量産に、サムスン電子は2028年からDRAM(短期記憶用メモリー)の量産に使う。
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