삼성전자, 차세대 D램 'D0a' 로드맵 수정...하이브리드 본딩 앞당긴다

💻 삼성전자, 차세대 D램 'D0a' 로드맵 수정...하이브리드 본딩 앞당긴다 https://n.news.naver.com/mnews/article/092/0002438644 📌 D0a 전략 수정...B1b 정식 로드맵 편입 삼성전자, 첫 10나노 미만 D램 D0a 개념을 VCT에서 B1b로 변경 연구개발 단계였던 B1b를 정식 로드맵에 편입, 상용화 속도전 돌입 기존 VCT D램은 ‘D0a-V’로 분리해 병행 개발 지속 📌 W2W 하이브리드 본딩, 범용 D램까지 확대 B1b는 메모리 셀·주변회로를 별도 웨이퍼로 만든 뒤 직접 접합 셀 집적도 향상과 셀·페리별 최적 공정 적용이 가능 CIS·고적층 낸드에서 검증된 W2W 기술로 VCT 대비 상용화 허들이 낮음 📌 HBM5에도 B1b 적용 검토 삼성전자, 2029년경 양산 예상되는 HBM5에 B1b 적용 방안 검토 HBM5는 HBM4E 대비 동작속도 50% 이상 향상을 목표로 개발 중 하이브리드 본딩이 범용 D램뿐 아니라 차세대 HBM 핵심 플랫폼으로 확대될 가능성 📌 양산 투자 결정은 내년 중반 예상 B1b 기반 D0a 상용화는 빨라야 약 2년 후로 전망 구체적인 양산 투자 일정은 2027년 중반께 확정될 것으로 예상 향후 B1b 기반 VCT·3D D램까지 결합되며 차세대 D램 구조로 확장 가능 ✅ 독립리서치 그로쓰리서치 https://t.me/growthresearch