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삼성전자, HBM4 수요 폭증에 4나노 베이스다이 증설 검토...HBM5는 2나노 투자 채비
💻 삼성전자, HBM4 수요 폭증에 4나노 베이스다이 증설 검토...HBM5는 2나노 투자 채비
https://www.mt.co.kr/industry/2026/09/21/2026092114333425215
📌 HBM4 베이스다이 수요에 4나노 증설 검토
삼성 HBM4는 자체 파운드리 4나노 공정으로 베이스다이 생산
현재 4나노 생산능력 절반 이상을 HBM4 베이스다이에 배정
4나노 라인 풀가동에 진입하며 추가 생산능력 확대 검토
📌 HBM4 매출 3배 증가, HBM4E까지 수요 확장
3분기 HBM4 매출은 전분기 대비 3배 이상 증가 전망
하반기 HBM 매출 중 HBM4 비중은 60%를 크게 상회할 전망
HBM4E에도 4나노 베이스다이 적용, 지난 5월 고객사 샘플 공급
📌 HBM5는 2나노...파운드리 투자 사이클로 연결
HBM5 베이스다이에 GAA 기반 2나노 공정 적용 검토
HBM4E 대비 동작속도 50% 이상 향상 목표
HBM 세대 전환이 4나노 증설→2나노 신규 투자로 이어지는 구조
📌 내년 삼성 HBM 공급 2.3배, 점유율 42% 전망
씨티, 내년 글로벌 HBM 수요 752억Gb로 전년 대비 62% 증가 전망
공급은 594억Gb로 수요 대비 약 21% 부족 예상
삼성 HBM 점유율은 올해 30%→내년 42% 전망
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머니투데이
HBM에 웃는 삼성 파운드리…첨단 공정 생산능력 확대 채비 - 머니투데이
삼성전자가 HBM(고대역폭메모리) 시장 성장에 힘입어 파운드리(반도체위탁생산) 첨단 공정 생산능력 확대에 나선다. 6세대 HBM(HBM4) 베이스다이 수요 급증 등으로 4나노(㎚·10억분의 1m) 공정이 풀가동에 들어가면서 증설을 검토 중이다.
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