High-NA EUV 상용화 경쟁 본격화: 인텔 2026 → 삼성 2028 → TSMC 2030

💻 High-NA EUV 상용화 경쟁 본격화: 인텔 2026 → 삼성 2028 → TSMC 2030 📌 High-NA EUV, 본격적인 양산 진입 High-NA EUV는 기존 EUV의 수치개구율(NA)을 0.33에서 0.55로 확대 ASML EXE:5200B 기준 8nm 해상도를 구현해 기존 NXE 대비 단일 노광으로 1.7배 더 작은 피처 구현 가능 멀티 패터닝 공정을 줄여 첨단 미세공정의 공정 복잡도를 낮추는 것이 핵심 📌 인텔, 가장 먼저 High-NA 양산 적용 2026년 7월 ASML은 인텔이 18A 공정 Panther Lake 일부 제품의 특정 레이어에 High-NA EUV를 양산 적용했다고 발표 9월 기준 인텔의 High-NA 장비 누적 처리 웨이퍼는 연구개발·장비 인증·양산을 포함해 100만 장 이상 현재 세 업체 가운데 실제 출하 제품에 High-NA를 적용한 가장 앞선 사례 📌 삼성전자, 2028년 D램 양산 적용 삼성전자는 2028년부터 차세대 D램 양산에 High-NA EUV를 적용할 계획 로직보다 미세화에 따른 패터닝 부담이 커지는 D램에 먼저 High-NA를 투입하는 전략 📌 TSMC, 2030년 첨단 로직 적용 TSMC는 2030년부터 첨단 공정의 대량생산에 High-NA EUV를 적용할 계획 어떤 노드에 처음 적용할지는 아직 공식적으로 공개하지 않았으며, 이후 공정이 미세화될수록 High-NA 적용 레이어를 확대할 방침 📌 장비 가격 약 4억 달러...12인치 마스크도 준비 High-NA EUV 장비 가격은 대당 약 4억 달러 수준 현재는 기존 6인치 포토마스크를 사용하며, ASML·TSMC·삼성전자·인텔은 향후 생산성 향상을 위해 대형 포토마스크 전환을 추진 12인치 마스크 파일럿 라인은 2031년, 관련 노광 시스템의 첨단공정 적용 준비는 2033년을 목표 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi