TSMC, 하이-NA EUV 2030년부터 양산 본격화 ..'초미세공정' 경쟁 가속화

💻 TSMC, 하이-NA EUV 2030년부터 양산 본격화 ..'초미세공정' 경쟁 가속화 https://www.fnnews.com/news/202609101547077838 📌 TSMC, 2030년 High-NA EUV 양산 투입 TSMC가 2030년부터 High-NA EUV를 양산 라인에 본격 적용한다고 공식화 그동안 비용 대비 효용성에 신중했던 입장에서 선회했다는 점이 핵심 A12·A13까지는 기존 Low-NA EUV를 쓰고, 이후 A10·A11급부터 High-NA 적용이 예상됨 📌 High-NA, 멀티패터닝 줄여 생산성 개선 High-NA EUV는 기존 EUV 대비 더 높은 개구수로 미세 패턴 구현 능력을 높인 차세대 노광 기술 이론상 2nm급 패턴 구현 시 멀티패터닝 공정을 절반 수준으로 줄일 수 있어 생산성·원가 개선 기대 장비 가격은 5,000억원 이상이지만 대량생산 체계가 잡히면 공정 단순화 효과가 큼 📌 삼성·SK는 2028년 DRAM에 먼저 적용 삼성전자는 2028년 세계 최초로 High-NA EUV를 DRAM 양산 제품에 적용할 계획 SK하이닉스도 2028년 DRAM 적용을 목표로 준비 중 메모리에서는 한국 업체들이 TSMC보다 약 2년 앞서 실제 양산 검증에 들어가는 구도 📌 결국 핵심은 ‘누가 먼저 양산 수율을 잡느냐’ High-NA EUV는 이제 연구개발 장비가 아니라 실제 양산 경쟁의 핵심 장비로 이동 인텔이 18A에서 실제 양산 적용에 들어간 데 이어 삼성·SK·TSMC까지 로드맵 구체화 향후 경쟁 포인트는 장비 도입 자체보다 공정 안정화·수율·생산성 확보 속도 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi