High-NA EUV 적용 타임라인: 삼성·SK는 2028년 DRAM 적용 목표, 마이크론은 아직 구체화 X

💻 High-NA EUV 적용 타임라인: 삼성·SK는 2028년 DRAM 적용 목표, 마이크론은 아직 구체화 X 📌 삼성·SK하이닉스, 2028년이 분기점 삼성전자와 SK하이닉스는 High-NA EUV를 2028년 DRAM 양산에 적용하는 로드맵 제시 기존 EUV의 NA 0.33→0.55로 높여 더 미세한 패턴 구현 차세대 DRAM·HBM 미세화 경쟁에서 2028년이 핵심 전환점으로 부각 📌 멀티패터닝 축소로 제조 효율 개선 High-NA EUV는 기존 EUV 대비 멀티패터닝 공정을 줄일 수 있다는 점이 강점 공정 복잡도와 제조비 절감, 클린룸 효율 개선 기대 첨단 DRAM 수율과 원가 경쟁력 확보에 중요한 기술 📌 삼성·SK하이닉스는 HBM 경쟁력과 연결 삼성은 1c DRAM을 HBM4에 조기 적용하며 선단 공정 경쟁력 강화 SK하이닉스도 1c DRAM 비중을 빠르게 확대해 HBM4E 기반으로 활용 예정 High-NA EUV는 HBM4E 이후 세대에서 기술격차 유지 수단으로 부각 📌 마이크론은 준비 신호만 확인 마이크론은 1γ에서 EUV를 본격 적용하고 1δ에서 최신 EUV 장비 확대 계획 뉴욕 알바니 High-NA EUV 센터 관련 엔지니어 채용도 진행 중 다만 삼성·SK하이닉스와 달리 High-NA DRAM 양산 시점은 아직 구체적으로 공개하지 않음 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi