DB하이텍, 세계 최초 8인치 SiC 파운드리 일괄공정 구축

💻 DB하이텍, 세계 최초 8인치 SiC 파운드리 일괄공정 구축 https://biz.heraldcorp.com/article/10867304?ref=naver 📌 8인치 SiC 1200V 공정 신뢰성 검증 완료 DB하이텍이 8인치 웨이퍼 기반 1200V SiC MOSFET 공정 검증 완료 설계·제조·특성평가·신뢰성 검증까지 지원하는 일괄 파운드리 체계 구축 회사는 세계 최초 8인치 SiC 파운드리 일괄공정이라고 설명 📌 6인치→8인치 전환 경쟁 본격화 SiC는 전기차·신재생에너지·산업용 전력기기에 적용되는 차세대 전력반도체 현재 6인치가 주류지만 원가·생산효율 개선을 위해 8인치 전환 가속 인피니언·울프스피드 등 글로벌 업체도 8인치 SiC 플랫폼 확대 중 📌 3세대 PDK로 성능·개발기간 개선 현재 1·2세대 1200V SiC MOSFET PDK를 고객사에 제공 2세대는 Rsp 2.5mΩ·cm2 이하, Vth 3V 이상 구현 11월 3세대는 Rsp 2.3mΩ·cm2 이하·SCWT 2.5μs 이상 목표 📌 2027년 2분기 전 고객 대상 서비스 올 3분기부터 기존 협력 고객 중심으로 우선 공정 서비스 준비 2027년 2분기부터 모든 고객 대상으로 8인치 SiC 파운드리 서비스 확대 PDK를 통해 고객 제품 개발기간을 1년 이상 단축하는 것이 목표 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi