4개 중 3개는 불량”... 중국산 HBM 수율 부진, 원인은 TSV 기술력 미달

💻 “4개 중 3개는 불량”... 중국산 HBM 수율 부진, 원인은 TSV 기술력 미달 https://v.daum.net/v/20260909060216667 📌 HBM3 최종 수율 약 25% 수준 CXMT가 HBM3 8단 적층 제품 시험생산에 돌입했지만 초기 수율은 약 25% 수준 전공정 수율 약 30%, 후공정 통과율 약 70%로 최종 양품 비율이 크게 낮은 구조 SK하이닉스 HBM3 수율 90% 이상과 비교하면 격차가 여전히 큰 상황 📌 D램보다 어려운 건 HBM 후공정 CXMT의 G4 17나노급 일반 D램 자체는 일정 수준까지 올라왔다는 평가 문제는 HBM용 대면적 다이의 엄격한 전기적 사양과 적층 공정 중국 업체의 추격 병목이 미세공정보다 TSV·본딩 쪽에 집중된 모습 📌 TSV 기술 격차가 핵심 SK하이닉스 HBM3는 다이당 TSV가 8,000개 이상인 반면 CXMT는 약 3,000개 수준으로 추정 TSV 수를 줄여 공정 난도를 낮췄지만 수율은 여전히 낮음 8단에서도 정렬·기포·워페이지 불량이 누적돼 12단 이상 고적층 진입 시 난도는 더 커질 전망 📌 중국 내 샘플 공급하며 수율 개선 중 CXMT는 알리바바 T-헤드·캠브리콘 등에 소량 샘플을 공급하며 수율 개선 작업 진행 다만 초기 저수율만으로 실패로 단정하기는 이르다는 평가 향후 TSV·본딩 노하우 축적 속도가 중국 HBM 상용화 시점을 좌우할 전망 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi