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삼성 파운드리, HBM4 확대 총력...4나노 캐파 절반이 '베이스 다이'
💻 삼성 파운드리, HBM4 확대 총력...4나노 캐파 절반이 '베이스 다이'
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📌 4나노 캐파 50~60% HBM4에 배정
삼성전자 파운드리 4나노 생산능력의 절반 이상을 HBM4 베이스 다이에 투입
업계 추정 기준 4나노 월 캐파 약 3만장 중 1만5000장 수준이 HBM4향
하반기 내내 높은 비중을 유지할 가능성
📌 HBM4 매출 3분기 3배 이상 전망
삼성전자는 3분기 HBM4 매출이 전분기 대비 3배 이상 증가할 것으로 전망
하반기 HBM4 매출 비중은 전체 HBM 매출의 60%를 크게 상회할 계획
베라 루빈 등 차세대 AI 가속기향 공급 확대가 핵심
📌 엔비디아·브로드컴·AMD 수요 대응
HBM4는 엔비디아 등 글로벌 AI 고객향 공급 확대가 예상되는 제품
베이스 다이 선제 증산으로 하반기 고객사 출하 확대에 대응
AI ASIC·GPU 고객 다변화와 함께 HBM 사업 확대 가능성 부각
📌 4나노 베이스 다이 내재화 경쟁력
삼성은 HBM4 베이스 다이에 자사 SF4 공정을 적용
시스템LSI·파운드리와 메모리 사업 시너지를 동시에 활용하는 구조
HBM 세대가 올라갈수록 베이스 다이 중요성이 커져 파운드리 내재화 가치도 확대
💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치]
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삼성 파운드리, HBM4 확대 총력…4나노 캐파 절반이 '베이스 다이'
삼성전자 파운드리의 4나노미터(nm) 공정에서 6세대 고대역폭메모리(HBM4)용 베이스 다이 양산에 할당한 비중이 최근 50%를 돌파했다. 올해 하반기 엔비디아, 브로드컴, AMD 등 글로벌 빅테크향 HBM4 공급 확대를 위한 선제적인 움직임으로 풀이된다.7일 업계에 따르...
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