SK하이닉스, 최첨단 D램 비중 확 늘린다... 내년 초 1c가 주력 공정

💻 SK하이닉스, 최첨단 D램 비중 확 늘린다... 내년 초 1c가 주력 공정 https://biz.chosun.com/it-science/ict/2026/09/07/V7UWTGBE45GZ5LCMWXD3C5RQAQ/ 📌 내년 초 1c가 주력 공정으로 1c D램 비중 1Q 10% → 2Q 13% → 3Q 24% → 4Q 34%대로 빠르게 확대 전망 내년 1Q 1c 비중 35%대로 1b 33%대를 처음 추월하며 주력 공정 전환 예상 4Q 기준 1c 비중은 SK하이닉스 34%대로 삼성전자 31%대를 앞설 전망 📌 HBM4E부터 1c D램 본격 적용 HBM4는 검증된 1b D램과 어드밴스드 MR-MUF로 양산 안정성에 집중 차세대 HBM4E부터 1c D램을 핵심 칩으로 적용하며 성능·생산성 동시 개선 추진 올해 HBM4 점유율은 SK하이닉스 50%대 중반으로 삼성전자 20%대 후반 대비 우위 전망 📌 미세공정 전환이 원가 경쟁력으로 1c 전환으로 웨이퍼당 비트 생산량이 늘어 동일 웨이퍼 기준 생산성 및 원가 경쟁력 개선 서버·HBM 등 고부가 제품 비중 확대와 맞물려 D램 수익성 방어 및 이익률 개선 기대 📌 관건은 수율과 고객 인증 1c 전환 속도보다 실제 양산 수율과 HBM4E 고객 인증 일정이 핵심 변수 HBM4E를 기점으로 SK하이닉스·삼성전자의 미세공정 및 HBM 주도권 경쟁 심화 전망 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi