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삼성전자, SEMICON 타이완서 차세대 패키징 기술 공개 — 하이브리드본딩·2.5D/3D 통합
💻 삼성전자, SEMICON 타이완서 차세대 패키징 기술 공개 — 하이브리드본딩·2.5D/3D 통합
📌 패키지 레벨 — 하이브리드 구리본딩(HCB) 도입
・기존 열압착본딩(TCB) 대비 하이브리드 구리본딩(HCB)으로 전환해 HBM 적층 수를 더 높이는 방식
・효과: 고적층(High-stack) 성능 최대 30% 향상, 열저항 최대 20% 개선
📌 시스템 레벨 — 두 가지 접근
1 2.5D 확장형 인터포저(RDL+Si브릿지 기반): 로직 2개 + HBM 최대 12개까지 탑재 가능한 대형 인터포저
・성능: 대역폭 30.7TB/s, 용량 576GB
2 3D 수직통합(로직/메모리 결합): 로직다이 위에 3D-IC 형태로 수직 적층
・성능: 대역폭 70.5TB/s
📌삼성의 'zHBM' 승부수
・모든 AI칩의 공통 문제는 메모리가 프로세서 옆에 배치돼 데이터가 옆으로 이동해야 한다는 것 — 이 간극이 병목
・삼성은 메모리를 프로세서 바로 위에 적층해 거리를 없애는 것을 목표 — 이를 'zHBM'이라 명명(앞서 다뤘던 삼성의 FMS 2026 발표와 동일 기술)
・아직 존재하지 않는 칩 대비 주장하는 수치: 8배 빠른 속도, 3배 높은 전력효율, 10배 높은 집적도, 75~90% 낮은 발열
・현재 이 시장은 SK하이닉스가 장악(엔비디아 공급) — 삼성은 후발주자로서, 한 세대를 완전히 건너뛰려는 승부수
・아직 컨셉 단계, 빠르면 2029년 실현 전망 — 다만 물리적으로 실현된다면 이 기술 이후 지어지는 모든 AI데이터센터의 구조가 근본적으로 달라질 것
💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치]
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✅“AI 반도체 시대, 소재·부품·장비의 리서치 채널”✅ 채널이 다루는 핵심 영역 ① 소재 (Materials) ② 부품 (Components) ③ 장비 (Equipment) “복잡한 반도체 공급망을 쉽게 번역한다”
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