삼성전자, HBM5 성능 2배·zHBM 최대 8배로...차세대 AI 메모리 승부수

💻 삼성전자, HBM5 성능 2배·zHBM 최대 8배로...차세대 AI 메모리 승부수 https://www.etnews.com/20260901000219 📌 HBM5, HBM4E 대비 성능 2배 삼성전자는 HBM5 성능을 HBM4E 대비 2배 높이는 것을 목표 와트당 성능은 20% 개선, 열 저항은 20% 낮출 계획 AI 가속기의 고성능·저전력·발열 요구에 동시 대응 📌 zHBM은 성능 8배·전성비 3배 HBM5 이후 차세대 제품으로 ‘zHBM’ 개발 방향 제시 HBM4E 대비 성능 8배, 와트당 성능 3배 목표 열 저항도 75~90% 낮춰 3D 구조 혁신 극대화 📌 zNAND-O, 2028년 샘플링 LLM 대용량 메모리 수요 대응용 ‘zNAND-O’ 개발 추진 D램 대비 비트 밀도 10배, 낸드 대비 읽기 대역폭·전력효율 각각 7배 목표 2028년 샘플링 시작 계획 📌 AI 메모리 ‘CUBE’ 전략 본격화 Capacity·Utilization·Bandwidth·Efficiency를 핵심 축으로 제시 단순 적층을 넘어 용량·대역폭·전력·열 효율을 동시에 개선 HBM부터 zHBM·zNAND-O까지 차세대 AI 메모리 주도권 확보 전략 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi