SK하이닉스: 하이브리드본딩, "고급 옵션"에서 차세대 HBM 핵심기술로 격상

💻 SK하이닉스: 하이브리드본딩, "고급 옵션"에서 차세대 HBM 핵심기술로 격상 📌 HBM I/O — 데이터 입출력 밀도 혁신 ・HBM3: I/O 수 1,024개 ・HBM4 이후: I/O 수 2,048개로 확대 ・I/O가 2,048개로 늘어나면서: 속도 11.9배 향상 / 집적밀도 15배 증가 📌 HBM 적층 높이 — 하이브리드본딩 적용 효과 ・동일한 다이 수를 적층해도 하이브리드본딩 적용 시 스택 높이가 크게 줄어드는 구조 ・결과: 적층 높이 감소 / 방열(열발산) 성능 100배 향상 ・기존 마이크로범프 방식과 달리, 하이브리드본딩은 구리-구리(Cu-to-Cu) 직접본딩을 통해 칩 간 상호연결 거리를 단축 — 대역폭·전력소비·방열 성능을 모두 개선 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://t.me/growth_semi