모건스탠리: 글로벌 DRAM 증설 본격화, 중국 CXMT도 빠르게 확대

💻 모건스탠리: 글로벌 DRAM 증설 본격화, 중국 CXMT도 빠르게 확대 📌 글로벌 DRAM 증설 본격화 글로벌 DRAM 생산능력은 2025년 약 2,000K wpm에서 2028년 3,374K wpm까지 확대 전망 특히 2027~2028년 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 모두 생산능력을 크게 늘릴 것으로 예상 AI 서버와 HBM 수요 증가에 대응하기 위한 DRAM 업계의 증설이 본격화되는 모습 📌 CXMT 생산능력 빠르게 확대 CXMT는 2025년 약 200K wpm에서 2028년 약 500K wpm까지 생산능력을 확대할 전망 이에 따라 글로벌 DRAM 생산능력에서 CXMT가 차지하는 비중은 2028년 약 15%까지 상승 예상 중국이 DRAM 생산능력 측면에서는 기존 메모리 3사를 빠르게 추격하는 흐름 📌 결국 중요한 건 늘어난 공급의 방향 삼성전자·SK하이닉스 역시 2028년까지 큰 폭의 캐파 확대가 예상되는 상황 다만 전체 캐파 증가가 곧바로 범용 DRAM 공급 증가를 의미하는지는 별도로 봐야 함 결국 2027~2028년 증설 물량이 HBM·서버용에 얼마나 배정되고, CXMT가 범용 DRAM 공급을 얼마나 늘리는지가 향후 수급의 핵심 변수 💻반도체 소부장💻[그로쓰리서치] https://telegram.me/growth_semi